IT之家 5 月 16 日消息,据 TechPowerUp 消息,西部数据与铠侠合作,将在今年量产第六代 BiCS NAND,该产品采用了162 层 NAND 闪存堆叠技术。 据介绍,西部数据与铠侠的 162 层 NAND 闪存将达到竞争对手 176 层的容量,而且芯片尺寸更小,单晶圆可达 100TB,比上一代的单晶圆 70TB 大幅增加。 西部数据与铠侠还公布了未来的路线图,2024 年的 BiCS+ 的层数超过 200 层,如果一切按计划进行,2032 年应该会看到 500 层 NAND 闪存。 IT之家曾报道,2020 年,西部数据公司和铠侠公司发布了第五代 BiCS 3D NAND,BiCS5 的设计使用了 112 层设计,密度相比上代增加了 40%。接口速度提高了 50%,达到 1.2GT / s。第六代 BiCS NAND 的参数信息预计会在今年晚些时候量产时公布。