近日，商务部转载韩国《STRAIGHTNEWS》新闻指出，三星电子近期完成了在西安建设的半导体二期扩建工程，并正式投入生产。三星电子西安二期项目的投产，达到 13 万片 / 月的产能，再加上原来每月 12 万片的产量，产能将达到 25 万片 / 月。西安工厂是三星电子 NAND 闪存半导体的生产据点。通过此次扩建，三星电子的 NAND 闪存生产能力将占世界市场的 10% 以上。
　　陕西日报消息指出，西安三星半导体一期项目于 2012 年 9 月开工建设，2014 年 5 月建成投产，投资总额由建厂时计划的 70 亿美元增加到实际完成投资 108.7 亿美元，其中闪存芯片项目投资 100 亿美元，封装测试项目投资 8.7 亿美元。
　　2017 年 8 月 30 日，西安三星半导体投资 70 亿美元在西安高新区建设 12 英寸闪存芯片二期项目，新建一条闪存生产线。2019 年 12 月，该公司决定再投资 80 亿美元，拟对二期项目进行扩建，实现增产及产品迭代。

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