长鑫存储购得大量DRAM专利,国产DDR4内存明年上市
IT之家12月5日消息 根据长鑫储存官方的消息,长鑫存储与 WiLAN 全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议。依据专利许可协议,长鑫存储从 Polaris 获得大量 DRAM 技术专利的实施许可。这些专利来自 Polaris 于2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。
依据独立的专利采购协议,长鑫存储从 Polaris 购得相当数量的 DRAM 专利。据悉,长鑫存储的事业2016年在安徽合肥启动,专业从事DRAM 的研发、生产和销售,目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。
根据之前的报道,长鑫存储科技有限公司已经开始使用19纳米制造技术生产DDR4内存。目前,该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图,并计划在未来生产所有类型的DRAM。不仅如此,长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。
目前,长鑫存储正使用其10G1工艺技术(即19nm工艺)来制造4GB和8GB的DDR4内存芯片,目标是在2020年第一季度上市。长鑫存储还将使用同样的技术将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。该公司的技术路线图包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存。