真我gt大师探索版闪存规格闪存多少

　　真我gt大师探索版这款手机为用户提供超高的手机颜值，不仅仅为用户提供很好的手机外形设计，同时为用户提供很好的手感体验，还为用户提供骁龙870的处理器性能，带来很好的手机5G性能，真我gt大师探索版闪存规格多少？
　　真我gt大师探索版闪存规格
　　为用户提供“ LPDDR4X+ufs3.1 ”的闪存规格。
　　LPDDR内存全称是Low Power Double Data Rate SDRAM，中文意为低功耗双倍数据速率内存，主要应用在移动设备上。
　　LPDDR4X
　　总线时钟频率2133Mhz，架构64x与86x，电压为1.8/1.1/0.6V
　　LPDDR5
　　数据速率3200Mhz，架构64x，电压1.8/1.05/0.9/0.5V
　　就数据传输而言，新的LPDDR5大约比LPDDR4x快1.5倍 。LPDDR5的传输速度为51.2 Gbps，频率为6,400 Mbps。
　　LPDDR4和LPDDR4x通过使用32bit双通道架构(2 x 16bit)提高了。LPDDR5将移回单个16bit通道，但是，每个通道中的存储体数量已增加到2倍。LPDDR4X仅支持Single Bank Group，而LPDDR5支持多Bank Group模式，这里可以理解为数据传输从单车道变成了多车道，进一步提升了传输数据带宽。
　　UFS，全称是通用闪存存储“Universal Flash Storage”，而UFS3.0标准，该标准采用HS-G4规范，单通道带宽可达11.6Gbps，性能为UFS2.1的两倍。简单来说UFS3.0标准在传输速度上更快，功耗更低，软件响应更快，程序运行更流畅，而省电效果更佳，这对喜欢玩手游的用户来说会是一个福音。
　　UFS 3.1相较于UFS 3.0增加了三个功能
　　1、Write Turbo(写入加速器)
　　Write Turbo这个从字面意思就可以理解，就是提高设备的写入速度。
　　有了这个特性，会大幅增加闪存的写入速率。UFS3.1的写入速度提升至700MB/s，而UFS3.0的顺序写入最高为500MB/s。
　　Write Turbo原理接近TLC/QLC固态硬盘中动态压缩部分空间来模拟SLC高速缓存，数据先从读写性能更强的部分写入，以容量换取性能，然后在空闲时间自动整理文件以标准形式储存，从而将此前压缩占用的额外空间释放出来，
　　我个人的理解是先从闪存内部划分出了一个“高速缓存区”，然后让这个更快的缓存区先去接收文件，然后等手机空闲的时候，再默默地把存在它里面的东西存到普通闪存区。
　　2、DEEP Sleep(深度睡眠)
　　睡眠嘛，就跟我们睡眠过程中一样，降低消耗。DEEP Sleep可以让闪存在空闲时间段进入低功耗的睡眠状态，确保手机在闲置时更加省电降低设备功耗，这对手机闲置时间的功耗控制有所帮助，间接提升了手机续航。
　　3、Host Performance Booster(HPB、主机性能增强器)
　　HPB主要作用是提升手机的读取性能。realme副总裁王伟对HPB的解释，手机在使用过程中会越用越卡，其中原因之一是越读越慢，这是由文件系统碎片化和器件随机读性能下降导致的。器件的cache缓存能力有限，频繁重载L2P Map表造成性能开销过大。HPB利用手机的RAM来缓存L2P Map表，以提升读性能，尤其是长时间使用后的随机读取能力。一句话，即HPB意在解决手机越用越卡的＂老毛病＂。
　　这个功能我认为是非常重的，这个卡顿问题直接关系到收手机的使用寿命，之前有数据表明安卓手机的平均流畅使用时间是18个月，这里要注意是流畅使用，很多人更换手机的一个很重要原因是手机边变得越来越卡了，而HPB得出现，如果真的能够很好得解决手机卡顿问题，那么相信在一定程度上会延长手机的使用寿命。
　　在实际测试中UFS 3.1的性能想较UFS 3.0具有很大的提升，这次测试分别从顺序读取、顺序写入、随机读取、随机写入这四方面来比较，其结果分别是
　　1、顺序读取：实测为1772.65MB/S UFS 3.1比UFS 3.0速度提高19.4%
　　2、顺序写入：实测为728.67MB/S UFS 3.1比UFS 3.0速度提高37.5%
　　3、随机读取：实测为286.03MB/S UFS 3.1比UFS 3.0速度提高14.5%
　　4、随机写入：实测为239.15MB/S UFS 3.1比UFS 3.0速度提高10.5%
　　总的来说UFS 3.1的综合性能想较UFS 3.0提升了大约百分之15左右
　　ps：这款手机还为用户提供很好的手机骁龙870的处理器，带来很好的手机旗舰5G性能，还为用户提供很好的手机120Hz的是三星柔性屏幕显示，很是值得入手