全彩化关键突破！晶能光电成功制备硅衬底红光MicroLED

　　日前，晶能光电成功制备了
　　红、绿、蓝三基色
　　硅衬底GaN基Micro LED阵列
　　在Micro LED全彩芯片开发上
　　前进了关键一步
　　微米尺寸的Micro LED制备已经脱离了普通LED工艺而进入了IC制程。大尺寸硅衬底GaN晶圆具有低成本、兼容IC制程、易于衬底剥离等核心优势，已成为Micro LED制备的主流技术路线。在国际上，Aledia、Plessey、ALLOS 、STRATACACHE等公司都在专注于硅衬底Micro LED开发。主要消费电子产业巨头更是在这一领域投入大量资源，以期在AR、VR等可穿戴设备的巨大市场中拔得头筹。
　　Micro LED走向大规模应用要求高良率和高光效的红绿蓝三基色Micro LED芯片。目前绿光和蓝光的GaN材料体系已经成熟，并满足Micro LED制程开发的要求。但对于红光Micro LED，传统的红光AlInGaP体系因为其材料较脆和侧壁上非辐射复合严重，面临着良率和光效两方面的重大技术瓶颈。所以，开发InGaN基红光LED，特别是大尺寸硅衬底上InGaN基红光LED被业界寄以厚望。
　　晶能的芯片总监黄涛介绍，本次的硅衬底InGaN红、绿、蓝Micro LED阵列的像素点间距为25微米，像素密度为1000PPI，在10A/cm2电流密度下的峰值波长分别为650nm、531nm、和445nm。InGaN红光芯片的外量子效率（36mil，650nm峰值波长）为3.5%，EL的半高宽为70nm。晶能这一成果发布，标志其成为国内首家实现硅衬底GaN基三基色Micro LED的企业。
　　图为硅衬底GaN基RGB Micro LED阵列
　　晶能外延副总裁付羿表示，
　　晶能一直专注硅衬底GaN基LED技术开发，十余年来持续引进人才以保证硅衬底GaN产业技术升级迭代。目前晶能的硅衬底GaN基LED产品已经覆盖了从365nm到660nm的可见光范围，并且实现了优秀的量产良率、波长集中度、光效、和可靠性。2018年，晶能开始硅衬底micro LED开发。付羿表示，晶能非常重视硅衬底GaN基Micro LED在AR/VR产业上的巨大应用前景，但必须要持续努力去解决诸如InGaN红光光效、发光半高宽、和最终的全彩化方案等关键问题，而且需要整个产业链的协同，才能实现Micro LED显示技术的规模应用。
　　新学期新希望，为了能顺利地完成开学报到工作，现将有关事项告知如下，敬请各位家长按照学校要求一一做好准备。
　　图为硅衬底GaN基RGB Micro LED归一化光谱
　　图为36mil尺寸硅衬底GaN基红光LED光谱
　　晶能光电简介
　　晶能光电（江西）有限公司成立于2006年2月，位于南昌高新区艾溪湖北路699号，是专注于大功率LED芯片、器件和第三代半导体GaN材料开发与生产的高科技企业。
　　晶能光电在硅衬底GaN技术领域已耕耘近二十载，在全球率先实现硅衬底GaN技术在LED领域的产业化和市场应用，开创了全球第三条蓝光LED技术路线，在全球申请或拥有420多项专利，其中硅衬底GaN基蓝光LED技术获得2015年度国家技术发明奖一等奖。同时，公司凭借硅衬底GaN材料技术优势，在硅衬底Micro LED和GaN HEMT的材料研究领域具有深厚积淀。
　　公司拥有国际化的技术团队和管理团队，具备持续创新的、先进的大规模生产制造和管理能力。公司将秉承创新和本分的基因，致力于为全球消费者提供全方位的高端LED照明、微显示和GaN器件的产品和解决方案。