SK 海力士刚刚公布了下一代高带宽内存（HBM3）的技术规格，可知其在提升传输速率和增大容量的同时，还引入了散热方面的最新改进。具体说来是，该公司的 HBM3 产品将提供高达 665 Gbps 的带宽、翻倍的容量、以及下一代散热解决方案。在官方产品页上，SK 海力士还分享了一张对比图表，以直观地展示从 HBM2E 到 HBM3 的变化。这家 DRAM 制造商表示，HBM3 有望实现 5.2 Gbps 的 I/O 速率，较现有的 HBM2E 提升 44%，从而大幅提升整体的内存带宽。
凭借更快的 HBM 解决方案，SK 海力士致力于引领高带宽显存市场。而该公司正在开发的 HBM3，还能够以 5.2 Gbps 的 I/O 速率，达成超过 665 GB/s 的带宽。
HMB2E 的带宽仅能达到 460 Gbps（来自：SK Hynix 官网）
与现有的 DRAM 相比，新一代产品将迎来 44% 的性能提升。与此同时，SK 海力士将进一步完善在 HBM2E 上首次引入的相关创新，比如为 HBM3 上配备增强版的散热解决方案。
具体说来是，它能够在温度减少 14 ℃ 的情况下，为 HBM2E 带来 36% 的散热效果改善。所以在 HBM3 上，我们期待着它能够带来更大的惊喜。
英伟达 GA100 Ampere 计算卡
容量方面，我们预计初代 HBM3 会与 HBM2E 持平。后者基于 16Gb DRAM 芯片，由 8-hi 堆栈达成总计 16GB 容量。不过随着 JEDEC 敲定最终规范，我们预期 HBM3 的存储密度会进一步增加。
如果进展顺利，我们或于明年晚些时候，见到搭载 HBM3 高带宽显存的下一代 CNDA 架构的 AMD Instinct 加速卡、英伟达的 Hopper GPU、以及英特尔 Xe-HPC 架构的高性能计算加速器等产品。
