现在的手机承载了越来越多的功能，已经成为了具备多传感器的平台。
如今出门你可以不带钱包、但一定要带上手机。从手机的发展历程来看，不只是像之前2G时代简单地用于通话，做一些信息的传输；到3G时代增加了一些交互的功能，有了一些简单的游戏；到了4G时代给我们的生活带来了更多的便利，让我们的交互变得更为流畅，更为友好，更为实时通讯。未来，5G技术的引入和深化应用，也将带给人们比较罕见的移动端体验。
近日，西部数据全新发布了针对5G移动手机的移动存储解决方案——西部数据iNAND MC EU551 嵌入式闪存器件，作为西部数据旗下第二代UFS3. 1 存储解决方案，旨在为消费者提供了超高分辨率相机、增强现实/虚拟现实、游戏和8K视频等新兴应用所需的高性能存储。
西部数据iNAND MC EU551 嵌入式闪存器件
在发布会现场，西部数据公司中国区智能终端产品事业部高档销售总监文芳和西部数据公司产品市场部高档产品市场经理宋学红对这款全新的产品进行了详细的分享和介绍。据文芳介绍，就目前的5G速率而言，大概会在1GB/s的传输速度。未来市场分析，到 2024 年5G的速度大概会达到2GB/s的。在WiFi上，目前是WiFi6/6E的标准，在 2024 年大概会到WiFi7 的标准，整体的速率都会接近2GB/s。
右为西部数据中国区智能终端产品事业部高档销售总监文芳；左为西部数据公司产品市场部高档产品市场经理宋学红
“如果传输的速度越来越高，势必是要对手机的应用提出更多要求。如果单单只有高速率，但是产品做不到这么高速率的交互，那也是没有意义的。所以，为什么现在推进手机的革新，不管是针对芯片上的处理器还是我们的存储器，大家都对它提出了更高的要求，每一家公司也都积极地在配合速率的提高给客户带来更好的使用体验。”
文芳表示，在顺序写入方面，现在用户应用大概用不到1GB/s，但西部数据较新的产品已经到了2GB/s。“为什么我们把速率放到这么高，其实我们做了很大的冗余，来支持随后5G更快地发展。到 2024 年，5G技术真的跑到2GB的时候，确保我们的产品还是适用于当下的产品应用。”
从存储性能来看，相比前一代产品，西部数据iNAND MC EU551 嵌入式闪存器件有了更多的改进和性能上的提升。据文芳介绍，西部数据iNAND MC EU551 嵌入式闪存器件的速度更快、延时更短、容量比较高可达512GB。该产品旨在满足JEDEC UFS3. 1 规范要求，并采用基于西部数据第七代SmartSLC的领先的Write Booster 技术。产品还支持Host Performance Booster2. 0 版本，进一步融合了JEDEC标准的全新进展。
从具体的读写性能来看，主要有以下几个提升：
随机读取性能提升约100%，随机写入性能提升约40%，有助于支持混合工作负载体验，例如同时运行多个应用。
顺序写入性能提升约90%，有助于达到新的5G和Wi-Fi6 的下载速度，让用户在下载8K视频等富媒体文件时拥有更杰出的体验，并提高连拍模式等应用的性能。
顺序读取性能提升约30%，通过缩短启动时间以更快启动应用，实现更快的上传速度。
西部数据公司产品市场部高档产品市场经理宋学红解释道，西部数据iNAND MC EU551 嵌入式闪存器件的产品性能提升主要得益于三个方面，一个是NAND array上面的提升，让读写速率变得更高，另一个对于NAND介质上外围电路做了优化，第三是采用了西部数据自研的主控，包括制程、速度和内部的RAM很多的设计，使这个产品都做了统一的提升。
总结来说，这款西部数据iNAND MC EU551 嵌入式闪存器件的产品在性能方面具有显著优势，还配备UFS3. 1 接口，容量涵盖了从128GB到512GB，11.5× 13 毫米的封装能够顺应现在大多手机客户对封装的要求。
宋学红继续介绍道，这款产品还强化了西部数据的健康报告功能，可以帮助客户在现场排除一些设备的问题，包括产品出厂以后，在客户端其实客户们也可以看到我们存储器磨损的情况，来做到及时管理。在工作温度范围上，这款产品是- 25 度到 85 度，可以应用于各种严苛的环境的。同时，这款产品是在双电压的环境下运行的，核心电压是在2.4V到2.7V，还有个I/O电压在1.14V到1.26V运作。同时还有个热保护的功能，在器件过热的时候数据会在安全模式下运行，这样的话可以保证用户数据财产的安全。
“西部数据iNAND MC EU551 嵌入式闪存器件还有HPB2. 0 的一个主机性能加速器，跟主机有很强的配合的，头先是要求主机能支持这个功能，这块我们在写入一些地址时以便于它更快地对芯片进行操作。”
西部数据全新推出的高性能移动存储解决方案，离不开其在闪存领域的领先优势。据介绍，在闪存领域，西部数据不仅拥有产能优势，还携手业界合作伙伴铠侠不断实现突破创新。
今年，西部数据也联合铠侠推出了第六代 162 层3D NAND闪存技术，与上一代产品相比，程序性能可提高近2.4 倍，读取延迟减少约10%，I/O 性能也提高了约66%，使得下一代接口能够满足不断增长的对更高传输速率的需求。新的3D 闪存技术降低了单位成本，并使每个晶圆的制造位增加了高达70%。西部数据与铠侠将持续推动创新，以确保实现持续扩展，从而满足用户及其多样化应用的需求。
未来，西部数据的领先闪存技术将进一步应用到更广泛的领域，例如VR，汽车等等，以全新的闪存技术赋能未来5G时代下各行各业的蓬勃发展。
