三星在日本宣布已正式量产 90 堆叠层数的第 5 代 V-NAND，单芯片容量达到 1TB，同时将会在今年内推出 32TB 容量的 TLC NAND SSD。
据报道，三星容量 1TB 的单芯片颗粒可达到 1.2GB 每秒读取速度，采用 M.3 规格，相比 M.2 SSD 更宽，好处是可以并排放下两组 NAND Flash，有助于提高储存容量。
IT 之家之前曾报道，东芝的 96 层 QLC 闪存单张闪存芯片容量可以达到 2.66TB。基于 1.33Tb 核心的 QLC 闪存，东芝开发出了 16 核心的单芯片闪存，一颗闪存的容量就有 2.66TB，现在 QLC 闪存的帮助下单芯片封装实现了 2.66TB 的容量，是之前的 5 倍多。
另外，根据统计机构的数据，在保持目前的普及增长率的同时，SSD 的出货量将会在 2020 年超越 HDD，在未来四年内，SSD 的销售量将以每年平均 20.7％的速度增长，对 HDD 硬盘的需求将每年减少 7.3％。
【来源：IT之家】
