春石斛具有粗壮肉质茎，茎上各节常生出高芽及气生根，基部有鳞芽出现。因此可采用茎段扦插、高芽切取和分株繁殖等方法。大规模生产中可通过无菌播种或组织培养。
1、扦插繁殖：选择没有开花、生长充实的假鳞茎，已开过花的则不会再长出新芽。扦插时间宜在2月中下旬至3月下旬，将插条从植株基部剪下，插穗用刀片切成1～2节，每个插穗长2～3cm，以上切口距节0.5cm左右、下切口距节2cm为宜。扦插容器可选穴盘、筐箱等，基质可用椰糠、水苔或细树皮，穴盘以50孔或72孔穴盘为宜。扦插时插穗以直立插入基质中。插后宜放置在高湿度和半阴处，但基质不能太湿，稍润即可。扦插苗一般生长2～3个月后，节间会发根长芽，当芽长成小植株时可上盆栽植。缺点是不同芽位的营养状况不同，芽的一致性差，苗生长不整齐，生长势弱。
2、高芽繁殖：从春天到初秋，在假鳞茎上部节处长出小植株时，可采用其高芽切下另行盆栽即可。当高芽苗有3～4片叶、根长4～5cm时，上盆最适宜。上盆时注意将根系分开包裹，以利根系生长，栽好前两周放在半阴处，温度保持18℃～25℃，遮光20%～40%。上盆1个月后，每周施用1次液体肥料，浇水可增加为每周3～4次。约1～2年后即可开花。但缺点是形成高位芽的数量少，芽的大小和生长不一致，高位芽变异率高。
3、分株繁殖：分株较为简单，但繁殖系数低，分株伤根，生长势弱，难以形成规模化生产。分株除花期外均可进行，但大多数品种宜在花期过后进行，选择假鳞茎数量较多的植株脱盆，将旧的植料清理干净，用经消毒的刀切下，每3根假鳞茎以一丛为宜，切口可用草木灰涂抹或用多菌灵、百菌清等消毒。将分出的植株植于花盆中，并置于半阴处养护。新根未长出前，注意多喷雾保湿，温度宜保持在18℃以上，遮光20%～40%。
4、无菌播种：春石斛的花朵在开花后3～4天进行授粉比较适宜。授粉后一般4个月左右果荚便可进行无菌播种。在常规灭菌后剖开果荚，将粉尘状种子接种于培养基。注意果柄不可剪留过短，否则灭菌时液体会渗入果荚，造成接种困难。在N6基本培养基或花宝1号3g/L+乳蛋白2g/L+香蕉50g/L+蔗糖20g/L+琼脂8g/L，pH5.2～5.4，温度24～26℃。接种后，种子1个月后就可萌芽，3～6个月后茎节长出，将茎节的幼嫩切段，每段长约1cm左右，常规灭菌后接种诱导培养基MS+BA0.5～3.0mg/L+NAA0.1～0.5mg/L+3% 蔗糖，培养40天后潜伏芽萌发，待新芽长至1cm时，将诱导出的幼芽从茎节上切下，并转入成分相同的新鲜培养基诱导丛生芽。增殖培养基同上，每30天继代1次。生根培养基以MS+NAA0.05mg/L或MS+NAA1.0mg/L+BA0.05mg/L，30天后可分化生根。
