说到陈星弼很多人应该知道他对于我国的功率半导体建设，有着非常非常重要的作用的，可以说是中国功率半导体领域的领路人和集大成者，所以他对于中国现代化的建设起到了至关重要的作用，但是就在2019年的12月5日，陈星弼院士去世了，非常的遗憾!
记者4日从电子科技大学获悉，中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，于4日17时10分在成都逝世，享年89岁。
陈星弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江。1952年从同济大学电机系毕业后，他先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院(现电子科技大学)工作。1999年当选为中国科学院院士，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士。
陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他一生发表学术论文200余篇，获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”。
陈星弼曾获得国家技术发明奖、科技进步奖等诸多荣誉，2015年获得IEEE ISPSD(国际功率半导体器件与集成电路年会)颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。
陈星弼主要成就
1、科研成就
a、科研综述
五十年代末，对漂移晶体管的存贮时间问题在国际上最早作了系统的理论分析。提出新的电荷法基本方程、不均匀介质中镜象电荷方程等。八十年代以来，从事半导体电力电子器件的理论与结构创新方面的研究。从理论上解决了提高p-n结耐压的平面及非平面工艺的终端技术问题，作出了一些迄今唯一的理论分析解。在解决MOS功率管中降低导通电阻与提高耐压之间的矛盾问题上作出了系列重要贡献。发明了耐压层的三种新结构，提高了功率器件的综合性能优值，其中横向耐压层新结构在制备工艺上与常规CMOS和BiCMOS工艺兼容，有利于发展耐高压的功率集成电路。
b、科研成果
陈星弼在新型功率(电力电子)器件及其集成电路这一极其重要领域中，做出了一系列重要的贡献与成就。他率先在中国提出立项并作为第一主研完成了VDMOST、IGBT、Offset-GateMOST、LDMOST、SPIC及RESURF、SIPOS等器件及有关技术。他对垂直型功率器件耐压层及横向型功率器件的表面耐压区唯一地作出了优化设计理论且得到实际应用。对功率器件的另一关键技术——结终端技术——作出了系统的理论分析及最优化设计方法并应用在各种电力电子器件的设计中取得良好的效果。 [5] 他还提出了斜坡场板这一新结构的理论。他的三项重要发明能使电力电子器件在一个新的台阶上发展。这些发明打破了传统极限理论的约束，使器件的电学性能得到根本性的改进。第一种第二种发明突破了高速功率MOS高压下导通电阻极限理论，得到新的极限关系。第一种发明被Siemens公司实现，98年在国际电子器件会议(旧金山)发表。第二种发明及第三种发明已在国内实验成功。根据第三种发明来制造高压(功率)集成电路中的横向器件，可以在工艺上和常规的CMOS及BiCMOS工艺兼容，使这种电路不仅性能优越，而且成本节省，可立足国内，并正在走向产品开发，获得国家发明奖及国家科技进步奖二项，省部级奖十三项。
c、学术论著&专利
陈星弼著书7本，发表学术论文110多篇，申请中国发明专利20项(已授权17项)，申请美国发明专利19项(已授权16项，另有两项已通知准备授权)，申请国际发明专利1项。
1、陈星弼，关于半导体漂移三极管在饱和区工作时的储存时间问题，物理学报，1959，15(7 )：353～367。
2、陈星弼，一维不均匀介质中的镜像法，成都电讯工程学院学报，1963，4(3)：76～84。
3、陈星弼，表面复合对半导体中非平衡载流子漂移及扩散的影响，成都电讯工程学院学报， 1963，4，100。
4、陈星弼、易明光，论晶体管中电荷控制法的基础，第二届四川省电子学会年会论文集， 1964，168～185。
5、陈星弼，小注入下晶体管IC-VBE特性的指数因子的研究，物理学报，1978，2(1)：10～ 21。
6、Xingbi Chen,Chenming Hu,Optimum Doping Profiles of Power MOSFETs Epitaxial Layer,IEEE TransOn Electron Devices,1982，ED-29(6)：985~987.
7、XBChen,Best Uniform Surface Doping in the Drift Region of Offset-Gate Power MOSFETs With Deep Junctions,Procof International Semiconductor and Integrated Circuit Technology,1986,383~385.
8、陈星弼，P-N+结有场板时表面电场分布的简单表示式，电子学报，1986,14(1)：36～43 。
9、陈星弼、蒋旭，突变平面结表面电场的近似公式，成都电讯工程学院学报，1986，15(3) ：34～40。
10、XBChen,ZQSong,ZJLi,Optimization of the Drift Region of Power MOSFETs with Lateral Structures and Deep Junctions,IEEE Transon Electron Devices,1987,ED-34(11),2344~2350.
11、陈星弼，场限环的简单理论，电子学报，1988，16(3)：6～9。
12、XBChen,ZJLi,XJiang,TwoDimensional Numerical Analysis of Field Profiles in HighVoltage Junction Devices,Chinese Journal of Semiconductor,1988,9( 2),181~187.
13、陈星弼、李肇基、蒋旭，高压半导体器件电场的二维数值分析，半导体学报，1988，9(3 )：255～260。
14、陈星弼、杨功铭，横向结构结深功率MOSFET漂移区的优化设计，微电子学，1988。
15、陈星弼，表面电荷对具有场限环的P+-N结电场及电位分布的影响，电子学报，1988，16 (5)：14～19。
16、陈星弼、李肇基、宋志庆，高压半导体器件电场的二维数值分析，成都电讯工程学院学报 ，1988，17(1)：46～53。
17、Chen Xingbi,Li Zhaoji,Li Zhongmin,On Breakdown Voltage of Abrupt Junction with Cylindric Edges,Chinese Journal of Semiconductors,1989，10(2)：233～ 237.
18、陈星弼、李肇基、李忠民，关于圆柱边界突变结的击穿电压，半导体学报，1989，10(6 )：463～466。
19、Chen Xingbi,A Theory of Floating Field-Limiting Rings Regarding the Effect of Surface Charges,Acta Electronics Sinica,Supplement,1989，105～111.
20、Chen Xingbi,Analysis and Design Guidelines of JTTs Used in Planar Technology,Proc.of ICSICT’89会议特邀报告,1989,456~458. [2]
21、陈星弼，功率MOS及HVIC的进展，第六届全国半导体集成技术与硅材料学术年会特邀报告 ，1989。
22、Chen Xingbi,A Simple Description of Diffused Impurity Distribution of an Instantaneous Source Through a Window of a Mask，Proc,of ICSICT’98,1989,241～ 243.
23Chen Xingbi,Li Zhaoji,Li Zhongmin,Field Profiles and Breakdown Voltages of Elliptic Cylindric Abrupt Junction,Procof ICSCT’98,1989,459~461.
24、陈星弼，MOS型功率器件，电子学报，1990，18(5)：97～105。
25、Xingbi Chen,Power MOST and Merged Devices，Procof Congress of German Chinese Electronics,BerlinOffenbach,1991,339~345.
26、陈星弼，结终端技术，第七届全国半导体集成技术与硅材料学术年会特邀报告，1991， 5~6。
27、XBChen,BZhang,ZJLi,Theory of Optimum Design of ReverseBiased p n Junctions Using Resistive Field Plates and Variation Lateral Doping，Solid State Electronics,1992,35(9):1365~1370.
28、陈星弼、曾军，扩散平面结反偏压下的电场分布与击穿电压，电子科技大学学报，1992， 21(5)：491～499。
29、陈星弼，半导体器件与微电子学的发展动向，当代电子，四川省电子学会主编，1992，84 ～94。
30、XBChen,PAMawby,CATSalama,MSTowers,JZeng,KBoard,Latera l HighVoltage Devices Using an Optimized Variational Lateral Doping,IntJ Electronics,1996,80(3),449~459.
31、Xingbi Chen,KOSin,Min Zhang,Bin Wang,An Analytical Model for Electric Field Distribution of Positively Beveled Abrupt PN Junctions,IEEE TransElectron Devices,1997,ED-44,5:869~873.
32、陈星弼，用于灵巧功率集成电路的创新型横向器件，第二届中国西部地区微电子技术年会 论文集(四川、 重庆、 广西、 甘肃、 云南六地市)，1998,1～7。
33、Chen Xingbi,Theory of a Novel Voltage Sustaining (CB) Layer for Power Devices,Chinese Journal of Electronics,1998,7( 3),211~216.
34、XBChen,PAMawby,KRoad,CATSalama,Theory of a Novel Voltage Sustaining Layer for Power Devices,Microelectronics Journal,1998,29 (12):1055~1011.
35、陈星弼、叶永萌，对高等学校人才培养的思考和看法，电子高教研究，1998，2、3，13～ 15。
36、Xingbi Chen,Breakthrough to the Silicon Limit of Power Devices (Invite Paper),5th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings, IEEE Press,1998,141~144.
37、陈星弼、叶星宁、唐茂成、王新、苏秀娣、单成国，新型CMOS全兼容二极管，电子科技大 学学报，1999。
38、Xingbi Chen,Xin Wang,KOSin,A Novel HighVoltage Sustaining Structure with Buried Oppositely Doped Regions,IEEE Transon Electron Devices,2000,ED- 47(6):1280~1285.
39、Chen Xingbi,Optimum Design Parameters for Different Patterns of CBStructure,Chinese Journal of Electronics,2000,9,(1):6~11.
40、陈星弼，由半导体微电子技术引起的第一次电子革命及第二次电子革命，电子科技大学学 报社科版，2000，2(2)：20～25。
41、陈星弼，第一次电子革命及第二次电子革命，微型电脑应用，2000，16(8)。
42、陈星弼，科技为本 创新为魂——由半导体技术引起的重大革命，世界电子元器件，2000 。
43、陈星弼、蒲慕名、张瑞敏、车俊、尚选玉、于庆成、杜彭，我的创新与财富观，中国青年 科技，2001。
44、Xingbi Chen,KOSin,Optimization of the Specific OnResistance of the COOLMOS,IEEE Transon Electron Devices,2001,ED-48(2):344~348.
45、Chen Xingbi,Theory of the Switching Response of CBMOST,Chinese Journal of Electronics,2001,10( 1):1~6.
46、Chen Xingbi,Fan Xuefeng,Optimum VLD Makes SPIC Better and Cheaper,Procof ICSICT’2001,104~108.
47、Xingbi Chen,Hongqiang Yang,Min Cheng,New Silicon Limit of Power Devices,Solid-State Electronics,2002,46:1185~1192.
48、陈星弼，由半导体微电子技术引起的第一次电子革命及第二次电子革命，第十六届全国电 源技术年会，2005，32～36。
49、陈星弼，超结器件，电力电子技术，2008，42(12)。
50、Chen Xingbi,Huang Mingmin,A Vertical Power MOSFET with an Interdigitated Drift Region Using High-k Insulator,IEEE Transactions on Electron Devices,2012 ，59 (9), 2430～2437.
2、学术论述
1、一维不均匀媒质中的景象法。
2、小注入下晶体管Ic-V_be特性的指数因子的研究。
陈星弼在研讨会发言
陈星弼在研讨会发言
3、论晶体管电荷控制法的基础。
4、关于圆柱边界突变结的击穿电压。
5、关于半导体漂移三极管在饱和区工作的储存时间问题。
3、人才培养
a、教学成果
陈星弼任教四十多年来，教过多种课。他亲自教过及培养过近千名的学生，普遍反映受影响最深，他对学生要求严格。这些至今有口皆碑。他公开出版五本书，不少书迄今仍是许多大学的教材。
4、荣誉表彰
陈星弼还负责过“八五”国家科技攻关重点项目、国家自然科学基金重点项目、国防科工委及各种省部级项目近20项，其中，两项获美国发明专利，三项获中国发明专利奖，两项获国家发明奖及科技进步奖，13项获国家教委及省部级奖。1999年，陈星弼当选为中科院院士。
1991年起享受国务院特殊津贴，1997年被电子工业部授予优秀教师奖项，1998年被评为全国优秀教师、四川省学术技术带头人、成都市劳模。
